周厂长愣了一下：“林总，百分之九十是行业领先水平。新产线一般需要六到十二个月才能达到这个良率。三个月……”

林诚说：“我知道行业一般要多久。但海力士现在不是一般状态。我们刚从破产边缘拉回来，南韩那边盯着紧，港岛工厂还没出片，无锡如果不能在良率和产能上打出优势，整个重整计划都会被质疑。”

他顿了顿，语气放缓了一点，但分量没减。

“我给你所有资源支持。设备有问题，直接找利川协调；工艺有问题，陈顾问的团队随时待命；人力不够，港岛和内地同时招。但三个月后，我要看到百分之九十的良率数据。你做不做得到？”

周厂长沉默了几秒钟，然后咬了咬牙：“我做得到。”

林诚点了点头：“好。我相信你。”

视频会议切换到第二个议题。陈顾问拿出一份技术路线图，投影到屏幕上。图上画着DRAM和NAND两条产品线的演进路径，从当前的工艺节点一直延伸到五年后的规划。

陈顾问指着图说：“林总，DRAM方面，当前主流产品还是DDR2，DDR3已经开始有小批量样品。无锡工厂目前的产线可以覆盖DDR2的量产和DDR3的试产。我建议在今年第四季度启动DDR3的正式量产，抢占下一代内存的市场窗口。”

林诚说：“DDR3量产时间表我同意。但我不只关心DDR3。我要你们从现在开始，在无锡研发中心秘密设立一个独立课题组，研究一种全新的DRAM架构。”

陈顾问和周厂长同时露出疑惑的表情。

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陈顾问问：“林总，什么样的新架构？”

林诚没有直接回答，而是走到白板前，画了一个简单的示意图。一个逻辑芯片和一个存储芯片堆叠在一起，中间用密密麻麻的垂直通道连接。

他转过身，看着视频里的两个人。

“现在的DRAM，都是平面布局。存储单元和控制器分开，数据通过总线传输，带宽受限，功耗偏高。未来随着处理器核心数量增加、数据量爆炸，这种平面架构会成为瓶颈。我设想的方案是把DRAM和逻辑芯片垂直堆叠，通过硅通孔技术实现超高带宽连接。每一层之间用数千个垂直通道互联，数据传输宽度可以从现在的几十位扩展到上千位，带宽提升数十倍，功耗反而下降。”

会议室里安静了好几秒。

周厂长皱着眉，显然在努力理解这个概念。陈顾问则是一脸震惊，他做半导体工艺二十多年，从来没有人提出过这种想法。

“林总，你这个想法……很大胆。”陈顾问斟酌着用词，“垂直堆叠的概念在学术界有人提过，但从来没有在工业界实现过。硅通孔技术的良率问题、散热问题、测试问题，每一个都是世界级难题。而且最关键的是，现在没有任何处理器需要这么大的内存带宽。你这是在为十年后的需求做准备。”

林诚说：“没错。我就是为十年后做准备。”